在NAND闪存行业,随着长江存储在2019年量产自研的64层闪存,国内厂商已经杀进了这个行业,自研的Xtacking晶栈技术不熟三星等五大原厂,连续推出了64层、128层产品之后,今年要量产192层闪存了。
电子时报援引产业人士消息称,长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出产品。
此外,由于长江存储128层3D NAND闪存工艺良率已改善至较好水平,长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。
预计到2023年底,长江存储月产量可能超过20万片,全球市场份额有望达到7-8%。
在3D闪存方面,目前美光、三星都已经量产176层闪存,西数、铠侠之前合作的是112层闪存,今年将量产162层堆栈的闪存,长江存储192层闪存技术水平达到甚至超过了他们的量产型闪存。
不过三星今年底将量产224层堆栈的新一代3D闪存,美光前几天也官宣了232层堆栈的3D闪存,只是要到明年才能量产,总体上还是会领先国产1-2年时间。
对于国产闪存来说,目前最关键的地方还不是技术,而是产能,长江存储两期工程的总产能也不过30万晶圆/月,相比三星、铠侠等公司来说还是低不少,特别是这几年全球半导体厂商都在扩大产能,2021年全球产能应该会超过200万晶圆/月,未来几年有望超过250万晶圆/月。