新突破！JDI官宣开发出全球首款 G6 新型OS-TFT背板技术

来源：腾讯网　2022-03-31 06:40:00

今天（2022 年 3 月 30 日），日本显示器公司 (JDI) 宣布在其位于日本茂原的 G6 工厂里成功开发出世界上第一个背板技术，从根本上改善传统氧化物半导体薄膜晶体管 (OS-TFT) 的性能，并将立即开始将这项新技术商业化。

据悉，JDI 的新型 OS-TFT 技术可生成场效应迁移率是传统 OS-TFT 2 倍的高迁移率氧化物半导体 (HMO)，以及场效应迁移率是传统 OS-TFT 的 4 倍的超高迁移率氧化物半导体 (UHMO)传统的 OS-TFT（以下 HMO/UHMO 统称为“HMO”）。

UHMO在JDI G6量产线上的场效应迁移率为52cm2/Vs，非常高的水平。更广泛地说，HMO 可实现与 LTPS 相同水平的导通电流，同时保持低截止漏电流。

HMO 的另一个优势是，虽然传统的高迁移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技术，这将玻璃基板尺寸限制在 G6，但 HMO 可用于 G8 或更大的生产线。

晶体管IV 特性比较

JDI 相信 HMO 将极大地加速显示技术创新，并有助于显着提高 OLED 和 LCD 显示性能，包括：

低功耗；

对于元界VR/AR显示，更高分辨率和更高刷新率，为元界用户带来更深的沉浸感和现实融合；

对于透明显示器，更高的透明度和图像质量以及更大的显示器。

低功耗

更高分辨率的 HMO 属性

传统的 OS-TFT 存在偏置温度应力 (BTS) 的问题，当试图获得高场效应迁移率时，这会导致可靠性差和图像劣化。

然而，通过利用 JDI 多年来开发的制造工艺专有技术，JDI 凭借 HMO 克服了这些挑战，这是一种具有卓越特性的全新突破性 OS-TFT。HMO同时实现了高场效应迁移率和稳定的BTS，同时实现了OS-TFT的低截止漏电流和LTPS的图像驱动稳定性。

HMO 使用出光兴产株式会社开发的结晶氧化物材料。

场效应迁移率比较

偏置温度应力变化特性比较

备注：PBTS ：正偏压温度应力 NBTIS ：负偏温辐照应力

2. 前瞻

(1) HMO量产开始

JDI 已经在与多个客户进行 HMO 部署讨论，并计划在 2024 年开始量产。

(2) HMO 销售目标

JDI 认为 HMO 是一项突破性技术，在显示类型和客户应用中具有极其广泛的应用。作为一个用例，JDI 计划将 HMO 与 JDI 的下一代 OLED 技术相结合，以扩大 G6 可穿戴显示器的生产，该用例的销售目标为 c. 26/3 财年为 250 亿日元，27/3 财年为 500 亿日元。

(3) HMO 开发成本

HMO 建立在 JDI 多年积累的背板技术核心能力之上。因此，HMO 商业化所需的额外费用将低于 10 亿日元。

(4) HMO 收益影响

虽然 HMO 对 JDI 当前 FY22/3 合并收益的影响微乎其微，但 JDI 相信它将加强 JDI 的全球显示技术领导地位，并推动 JDI 的长期可持续增长。

OLEDindustry译

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