群联电子推出NVMe SSD主控芯片 采用台积电12nm制程工艺

群联电子(Phison)昨日正式推出全新的 NVMe SSD 主控芯片，型号为PS5018-E18。这款芯片采用 PCIe 4.0×4 通道，读写性能均突破 7000MB/s。不仅如此，这款芯片采用了台积电 12nm 制程工艺，相比市面上的其它主控能够有效降低发热。

群联此款主控具有三颗ARM Cortex R5 核心，同时具备双 CoXProcessor 处理器用于数据传输、地址转换。主控支持第四代 LDPC 纠错引擎，兼容 NVMe 1.4 协议规范。

速度方面，E18 主控相比此前推出的 E16 主控性能有了明显提升，顺序读取超过 7400MB/s，顺序写入超过 7000MB/s。主控芯片兼容 176 层 NAND 闪存颗粒，其随机读写性能相比市面上的 96 层颗粒提升了 35%，可达 100 万 IOPS。

据IT之家了解，群联这款主控芯片具有 8 通道、32CE，兼容 DDR4 缓存，支持最大容量为 8TB。官方表示，产品将于在中国台北举办的 Computex 2021 展会上展出。

标签： 群联电子 台积电 12nm制程 主控芯片

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