ASML今年将为光刻机提供新型EUV防护膜 透光率可达90.6%

目前最前沿的手机、电脑芯片多使用 EUV 极紫外光进行刻蚀，但是这种光线难以被反射和折射，制造过程中损耗率非常大。根据外媒 TheElec 消息，ASML 将于今年开始为光刻机提供新型 EUV 防护膜，透光率可达 90.6%，目前即将开始生产。

外媒表示，此种防护膜主要用于安装在 EUV 光路和晶圆制造空间之间，用于防尘。此前的防护膜透光率仅有 78%，然而一片的价格高达 26000 美元(约 16.74 万元人民币)。三星和台积电目前为了生产效率，没有使用这种防护膜，尽管这会提高晶圆表面被污染的风险。这两家代工厂此前表示，他们需要透光率超过 90% 的防护膜，才会考虑应用到生产线上。

IT之家了解到，ASML 宣布此款 EUV 防护膜能够承受 400W 的功率，将由日本厂商三井化学制造。

标签： ASML 光刻机 EUV防护膜 透光率

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