SK海力士开发出128层1Tb 3D TLC NAND闪存 晶圆钻头生产率提高40%

6月26日消息，SK海力士宣布已完成128层1Tb 3D TLC NAND闪存的开发。这款新型存储器采用了该公司的CTF设计，以及“4D”NAND的PUC架构。新的128层TLC NAND闪存设备将在今年下半年出货。

1 Tb 128层“4D”TLC NAND

SK海力士的1 Tb 128层TLC NAND芯片具有四个平面以及1.2伏特的1400 MT/s接口，不仅比上一代产品更加密集，而且至少快16%。SK海力士表示其CTF设计可以实现更快的编程时间(tPROG)以及更快的读取时间(tR)，实际性能提升可能更高。

为了在其第六代3D NAND芯片内堆叠128层，该公司不得不采用多层设计以及众多新技术，包括超均匀垂直蚀刻技术以及高可靠性多层薄膜电池形成技术。同时，为了在不增加器件功耗的情况下提高I / O总线的性能，SK海力士实现了超快速低功耗电路设计。

值得注意的是，与96层TLC NAND相比，过渡到CTF + PUC架构以及各种优化使SK Hynix能够将工艺步骤数减少5%，并将每个晶圆的钻头生产率提高40%。

SK海力士将在今年下半年开始出货的首批1 Tb 128层TLC NAND芯片将主要用于移动存储设备，如USB驱动器和存储卡。

最后，SK海力士表示目前正在开发176层4D NAND闪存，但没有透露何时可以推出。（孤城）

标签： SK海力士 128层闪存 晶圆钻头

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