ASML下一代EUV光刻机提前量产 致力于成为高NA光刻机的首个客户

在上月的ITF大会上，半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布的蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度(Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米)，其中2025对应A14(14Å=1.4纳米)，2027年为A10(10Å=1nm)、2029年为A7(7Å=0.7纳米)。

当时imec就表示，除了新晶体管结构、2D材料，还有很关键的一环就是High NA(高数值孔径)EUV光刻机。其透露，0.55NA的下代EUV光刻机一号试做机(EXE:5000)会在2023年由ASML提供给imec，2026年量产。

不过，本月与媒体交流时，ASML似乎暗示这个进度要提前。第一台高NA EUV光刻机2023年开放早期访问，2024年到2025年开放给客户进行研发并从2025年开始量产。

据悉，相较于当前0.33NA的EUV光刻机，0.55NA有了革命性进步，它能允许蚀刻更高分辨率的图案。

分析师Alan Priestley称，0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元(约合19亿)，是当前0.33NA的两倍。

早在今年7月，Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户，Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法，并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。

标签： 半导体行 新晶体管 蓝图显示 更高分辨

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