在当前的硅基芯片制造过程中,光刻法是唯一的量产方法。
什么叫光刻法,既然就是利用光线,照射刻录好的光掩膜板,把上面的电路图,投影到硅晶圆上,类似于投影机的原理一样。
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而这个过程中,需要一种最重要的工具,那就是光刻机,而光刻机的分辨率,就决定了芯片工艺。
所以光刻机有DUV光刻机、浸润式光刻机,EUV光刻机等,这些一代又一代的光刻机,提高的关键都是分辨率,也就是投影的精度,而对应的就是芯片工艺,比如EUV光刻机,用于7nm及以下的芯片。
目前全球仅有4家厂商,能够生产制造芯片的前道光刻机,分别是荷兰的ASML、日本的尼康、佳能,中国的上海微电子。
不过大家的水平不一样,ASML>尼康>佳能>上海微电子。
ASML是全球唯一一家能够制造EUV光刻机的厂商,而尼康的最高水平是浸润式光刻机,佳能与上海微电子的水平更差一些。
所以这就奠定了ASML的王者地位,只要谁的芯片工艺想进入7nm,就必须找ASML买EUV光刻机,否则就不行。
所以一直以来,也有众多的厂商,在研究另外的技术,以期不用EUV光刻机,也能制造7nm及以下的芯片。
那么有厂商突破了么?目前还没有,不过应该很快了,我想看到这个消息,ASML应该也是有点慌了。
近日佳能就表示,到2025年,可以基于自己的NIL纳米压印技术,实现5nm芯片的制造,不再需要EUV光刻机了。
NIL纳米压印技术,是什么技术?从名字就可以看出来,类似于印刷的一种技术。
光刻技术是投影原理,而NIL纳米压印,是将电路图刻录到一个专用的“章子”上,然后再将这个“章子”盖到硅晶圆上,在硅晶圆上就有了电路图,最终制造成芯片。
纳米压印的难点,是如何将精细的电路图刻录到章子上,目前佳能已经有成熟的技术,不过精度还不太高,佳能与铠侠合作,应用于部分存储芯片的制造上。
不过据称最近有了突破,所以佳能再吹牛称,到2025年要实现5nm芯片的制造,不再需要EUV光刻机。
那么国内在NIL纳米压印技术上,又表现的如何呢?其实国内也有很多公司在研究这个技术,不过总体而言,比佳能还是落后一些。
从专利来看,在NIL纳米压印技术上,佳能专利拥有913件,差不多接近所有专利的100%,明显是一家独大的。
不过虽然专利不行,国产技术还是有成绩的,比如天仁微纳,就有类似的技术,只不过目前没有用在逻辑芯片上,更多是用在DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等领域。
而从精度来看,据说已经在150/300mm基底面积上实现高精度(优于10nm ),真假未知,但如果是真,还是挺让人兴奋的,希望国产加油吧,如果真的国产NIL纳米压印也实现到5nm,那根本就不怕光刻机卡脖子了。
原文标题:ASML有点慌:不用EUV光刻机,也能生产5nm芯片