台积电:将加快3nm及2nm等先进制程研发及量产规模提升

美国政府计划于当地时间 12 日与芯片和汽车企业举行会谈,商讨全球芯片短缺问题,三星电子、台积电赫然在列。对此彭博社等报道称,因为产能供不应求压力陡升,台积电将调升今年资本支出至 300~310 亿美元,将于15 日正式公布。

IT之家了解到,台积电今年年初曾宣布资本支出 250~280 亿美元,但为了解决产能吃紧日益严重问题,又宣布未来 3 年将投入 1,000 亿美元大举扩产,业界预期台积电将在法说会中宣布调高今年资本支出至 300~310 亿美元,上修幅度达 10~20%。

此外,台积电将加快 3nm 及 2nm 等先进制程研发及量产规模提升。其中,针对 3nm 打造的 Fab 18 厂第四期至第六期工程正在加速建设,预计明年上半年可开始装机,明年下半年量产;位于新竹宝山的 2nm 新晶圆厂将在明年动土兴建。

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